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J-GLOBAL ID：201702223666231163   整理番号：17A0453203

連続ロール・ツー・ロールグラビア印刷による完全溶液処理した有機薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Fully solution-processed organic thin-film transistors by consecutive roll-to-roll gravure printing

著者 (4件)： Kim Jaemin (Department of Mechanical Design and Production Engineering, Konkuk University, Seoul 143-701, South Korea) ,  Hassinen Tomi (VTT Technical Research Centre of Finland, Tietotie 3, Espoo FI-02044, Finland) ,  Lee Wi Hyoung (Department of Organic and Nano System Engineering, Konkuk University, Seoul 143-701, South Korea) ,  Ko Sunglim (Department of Mechanical Design and Production Engineering, Konkuk University, Seoul 143-701, South Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 42  ページ： 361-366  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高performance/flexible有機薄膜トランジスタ(OTFT)は全ての段階溶液プロセスを用いて作製した,5の最小工程数をもつロール・ツー・ロールグラビア,プレート・ツー・ロール方式グラビアとインクジェット印刷で構成されている。ロール・ツー・ロールグラビア印刷を用いて,プラスチック基板上のソース/ドレイン電極をパターン化するためには,半導体と誘電体層は,連続したプレート・ツー・ロール方式グラビア印刷で印刷した。最後に,Ag有機金属インクのインクジェット印刷を用いてゲート電極をパターン化することである。作製したOTFTは優れた電気的性能,0.2cm~/V・s以上の電界効果移動度,以前の研究に比べて最良の一つであることを示した。ソース-ドレイン電極上の自己集合単分子層の堆積は,p型高分子半導体に適した高い仕事関数をもたらした。さらに,疎水性誘電体上の高密度ゲート電極線の形成は適切なAgインクを選択することによって達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 疎水性 ,  *グラビア印刷 ,  *薄膜トランジスタ ,  インクジェット印刷 ,  インク ,  高分子半導体 ,  パターン形成 ,  銀 ,  仕事関数
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  ゲート電極 ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *溶液処理 ,  *ロール・ツー・ロール方式 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機半導体薄膜トランジスタ ,  自己組織化単分子層 ,  紫外光電子分光法 ,  ロールツーロール ,  グラビア印刷

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ロール・ツー・ロール ,  グラビア印刷 ,  有機薄膜トランジスタ