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J-GLOBAL ID：201702223750773123   整理番号：17A0407652

窒素ドープZnO膜における窒素関連複合体受容体に関する実験的研究【Powered by NICT】

Experimental investigation on nitrogen related complex acceptors in nitrogen-doped ZnO films

著者 (5件)： Tang Kun (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210046, China) ,  Zhu Shunming (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210046, China) ,  Xu Zhonghua (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210046, China) ,  Ye Jiandong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210046, China) ,  Gu Shulin (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210046, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 696  ページ： 590-594  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,実験は,窒素ドープZnO材料中の浅いアクセプタ状態の性質,導入,制御を検討するためにデザインした。バッチ実験特性化の助けを借りて,(NH_4)Znおよび(N_2)Znの形の浅いアクセプタ状態を確認した。アクセプタ窒素錯体の含有量は成長中の気相でのVI/II比を変えることにより調整することができた。錯体の生成機構についても考察した。(NH_4)Zn錯体の形成エネルギーはOリッチ条件でV_Znのそれより低いこと,亜鉛部位での形成はエネルギー的に有利にすることができる。(N_2)Zn錯体の形成エネルギーはV_Znのそれよりもわずかに高いが,錯体は隣接格子酸素または付加的水素,電子移動高エネルギー状態への全エネルギーを低下させるへの結合により安定化した。さらに,成長を経由する(N_2)Znの直接導入は,以前に実証された成長後プロセスによるそれと比較してより効率的であることが示唆されている。これら全ての機構は,ZnO格子であり,窒素ドープZnO材料の実験的に観察された浅いアクセプタ状態の原因となる(NH_4)Znおよび(N_2)Znアクセプタ錯体の合理的な共存をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アクセプタ ,  錯体 ,  複合体 ,  電子移動 ,  キャラクタリゼーション ,  気相 ,  *酸化亜鉛 ,  全エネルギー ,  *窒素
準シソーラス用語： エネルギー状態 ,  形成エネルギー ,  生成機構 ,  バッチ実験 ,  実験研究 ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化亜鉛 ,  p型 ,  窒素ドーピング ,  浅いアクセプタの性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素ドープ ,  ZnO ,  窒素 ,  複合体 ,  受容体 ,  実験的研究