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J-GLOBAL ID:201702223875157812   整理番号:17A0275736

炭化けい素電力素子のターンオフ遅延時間を用いたオンライン接合温度モニタリング【Powered by NICT】

Online junction temperature monitoring using turn-off delay time for silicon carbide power devices
著者 (6件):
資料名:
巻: 2016  号: ECCE  ページ: 1-7  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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接合温度はパワーデバイスの健康状態監視のための重要な指標である。新しい材料と包装の未熟性に起因して出現する炭化ケイ素(SiC)電力半導体の信頼性について,接合温度測定が重要で,挑戦的な,SiCデバイスが低オン状態抵抗,高スイッチング速度,回路実装における雑音と寄生に対して高い感受性を有している。本論文では,熱に敏感な電気的パラメータ(TSEP)としてターンオフ遅延時間を用いたSiCデバイスのオンライン接合温度モニタリングのための実用的で費用対効果の高い方法を開発することである。感度は高速スイッチングSiCデバイスに対して解析した。ゲートインピーダンス調節補助回路は60倍感度を向上させ,電力変換性能のほとんどペナルティを用いた事例研究百ps/°Cに近づくように設計されている。,三ゲート補助回路に基づくオンラインモニタリングシステムは,百psの分解能で実時間でターンオフ遅延時間をモニターするために開発した。最後に,マイクロコントローラが0.5°C以下の測定誤差による転炉操業中の「読み」接合温度が可能である。較正とオンライン接合温度モニタリングのための二試験プラットフォームを構築し,実験結果により提案アプローチの実現可能性と精度を実証した。さらに,感度の向上と高分解能ターンオフ遅延時間測定のための提案したゲート補助回路はトランジスタに基づくとチップレベル集積化に適している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (9件):
分類
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汚染原因物質一般  ,  脂質一般  ,  固体デバイス材料  ,  構造力学一般  ,  雑音測定  ,  分析機器  ,  発振回路  ,  半導体の結晶成長  ,  構造設計一般 

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