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J-GLOBAL ID：201702223898081271   整理番号：17A0282981

レーザ直接書込み法によるIII-V半導体周期ナノ構造の実現

Realization of III-V Semiconductor Periodic Nanostructures by Laser Direct Writing Technique

著者 (8件)： HUANG Yuan-qing (Lanzhou Univ.) ,  HUANG Yuan-qing (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci.) ,  HUANG Rong (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci.) ,  LIU Qing-lu (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci.) ,  ZHENG Chang-cheng (Xi’an Jiaotong-Liverpool Univ.) ,  NING Ji-qiang (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci.) ,  PENG Yong (Lanzhou Univ.) ,  ZHANG Zi-yang (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:12 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,レーザ直接書込み(LDW)法を用いてIII-V GaAs基板上に一次元(1D)と二次元(2D)周期ナノ構造の作製を実証した。金属薄膜(Ti)と相変化材料としてGe₂Sb₂Te₅(GST)を,フォトレジストとしてGe₂Sb_1.8Bi_0.2Te₅(GSBT)を選択して,半導体ナノ構造の小特徴サイズを達成した。最小特徴サイズは約50nmであり,これは回折限界の約1/4であり,フォトレジスト上で得,1D III-V半導体ナノ線の最小幅は150nmであり,GaAs基板上で得,既報告値より小さかった。2Dナノ角穴をフォトレジストとしてTi薄膜を用いて得,側幅は約200nmであるが,GSTまたはGSBTをフォトレジストとして用いたときには矩形形状に変化し,これは2走査レーザビームにより誘導された交差温度場の相互作用に起因した。LDW法により調整した周期ナノ構造中の異なるフォトレジストの相互作用機構を詳細に論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *パルスレーザ照射 ,  *化合物半導体 ,  *フォトレジスト ,  周期構造 ,  金属薄膜 ,  ナノワイヤ ,  ヒ化ガリウム ,  レーザビーム ,  温度場 ,  ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化物 ,  テルル化物 ,  ビーム走査 ,  回折限界 ,  直接書込み ,  *III-V半導体 ,  場
準シソーラス用語： *III-V化合物半導体

分類 (4件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ ,  直接書込み ,  III-V半導体 ,  周期 ,  ナノ構造