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J-GLOBAL ID：201702223934353685   整理番号：17A0562178

α-Ga_1.4Sn_0.6O₃薄膜におけるスズの価数変化が誘起した不純物補償効果

Impurity Compensation Effect Induced by Tin Valence Change in α-Ga_1.4Sn_0.6O₃ Thin Films

著者 (7件)： ZHAO Xiaolong (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  WU Zhenping (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  CUI Wei (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  ZHI Yusong (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  GUO Daoyou (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  LI Linghong (State Univ. New York at Potsdam, New York, USA) ,  TANG Weihua (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 1  ページ： 983-988  発行年： 2017年01月11日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ分子線エピタクシー技術により,酸素分圧を変えて,(300)Al₂O₃基板上にα-Ga_1.4Sn_0.6O₃エピタキシャル膜を作成した。薄膜中のスズの価数状態におよぼす酸素分圧の効果を調べた。また,膜の抵抗率と深紫外光検出器の性能特性も調べた。酸素分圧の低下とともに,暗電流と光電流が増加し,緩和時定数が減少した。

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *スズ酸塩 ,  *ガリウム化合物 ,  *圧力効果 ,  *酸素 ,  ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  サファイア ,  *スズ ,  *原子価 ,  分圧 ,  *電気抵抗率 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *光検出器 ,  紫外線 ,  暗電流 ,  *光電流 ,  緩和時間 ,  電流電圧特性 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： XPS法 ,  *レーザMBE成長 ,  深紫外線

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  スズ ,  価数 ,  誘起 ,  不純物補償