文献

J-GLOBAL ID：201702224138721757   整理番号：17A0759249

n型高分子電界効果トランジスタ中の活性水素誘起電子捕獲と運用上の不安定性を空気および【Powered by NICT】

Air- and Active Hydrogen-Induced Electron Trapping and Operational Instability in n-Type Polymer Field-Effect Transistors

著者 (5件)： Un Hio-Ieng (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences (BNLMS), Key Laboratory of Bioorganic Chemistry and Molecular Engineering of Ministry of Education, Key Laboratory of Polymer Chemistry and Physics of Ministry of Education, Center of Soft Matter Science and ...) ,  Zheng Yu-Qing (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences (BNLMS), Key Laboratory of Bioorganic Chemistry and Molecular Engineering of Ministry of Education, Key Laboratory of Polymer Chemistry and Physics of Ministry of Education, Center of Soft Matter Science and ...) ,  Shi Ke (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences (BNLMS), Key Laboratory of Bioorganic Chemistry and Molecular Engineering of Ministry of Education, Key Laboratory of Polymer Chemistry and Physics of Ministry of Education, Center of Soft Matter Science and ...) ,  Wang Jie-Yu (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences (BNLMS), Key Laboratory of Bioorganic Chemistry and Molecular Engineering of Ministry of Education, Key Laboratory of Polymer Chemistry and Physics of Ministry of Education, Center of Soft Matter Science and ...) ,  Pei Jian (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences (BNLMS), Key Laboratory of Bioorganic Chemistry and Molecular Engineering of Ministry of Education, Key Laboratory of Polymer Chemistry and Physics of Ministry of Education, Center of Soft Matter Science and ...)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201605058  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)は,次世代エレクトロニクスのために多くの注目を集めている。OFETの急速な発展にもかかわらず,運転安定性はそれらの商用的応用のための大きな挑戦である。さらに,電子輸送の分解の背後にある実際のメカニズムはまだ十分に理解されていない。,誘電体の表面に及ぼす水,酸素,活性水素の共存は,しきい値電圧の急激なドロップオフに導くかを,特に,半導体/誘電体界面特性および環境の関数としてポリ{[N,N-9-ビス(2-オクチルドデシル)-ナフタレン-1,4,5,8-ビス(ジカルボキシミド)-2,6-ジイル]-alt-5,59-(2,29-ビチオフェン)}(P(NDI2OD-T2))薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性を系統的に調べた。証拠は,界面で発生する酸-塩基中和反応,誘電体の化学的不安定性と有機半導体の電気化学的不安定性の組み合わせ効果は,P(NDI2OD-T2)TFTの界面に大きな電子捕獲に寄与することが分かった。半導体の固有の電気化学的安定性を増加させ,ゲート誘電体の化学反応性を低下させ,二つの戦略は効果的に反応を抑制し,このようにしてn型OFETの操作安定性を改善することを実証した。結果はn型OFETにおける電荷輸送不安定性,長期安定性を有する高性能OFETを構築するために有利であることをより良く理解するための代替分解経路を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気化学 ,  電子技術 ,  界面 ,  酸素 ,  *不安定性 ,  薄膜トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  反応性 ,  電気特性 ,  誘電体 ,  *電子捕獲
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  閾値電圧 ,  電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷捕獲 ,  電界効果トランジスタ ,  n型高分子半導体 ,  操作安定性 ,  自己集合単分子層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子 ,  電界効果トランジスタ ,  活性水素 ,  誘起 ,  電子捕獲 ,  運用 ,  不安定性