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J-GLOBAL ID：201702224201227108   整理番号：17A0697731

ジグザグ型シリセンナノリボンの端でのリチウム吸着原子吸着による設計リチウム貯蔵材料:第一原理研究【Powered by NICT】

Design lithium storage materials by lithium adatoms adsorption at the edges of zigzag silicene nanoribbon: A first principle study

著者 (5件)： Guo Gang (Hunan Key Laboratory for Micro-Nano Energy Materials and Devices, School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xiangtan University, Hunan, 411105, China) ,  Mao Yuliang (Hunan Key Laboratory for Micro-Nano Energy Materials and Devices, School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xiangtan University, Hunan, 411105, China) ,  Zhong Jianxin (Hunan Key Laboratory for Micro-Nano Energy Materials and Devices, School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xiangtan University, Hunan, 411105, China) ,  Yuan Jianmei (Hunan Key Laboratory for Computation and Simulation in Science and Engineering, School of Mathematics and Computational Science, Xiangtan University, Hunan, 411105, China) ,  Zhao Hongquan (Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology, Chinese Academy of Sciences, Chongqing, 401120, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 406  ページ： 161-169  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジグザグ型シリセンナノリボン(ZSiNR)の活性エッジを用いたリチウム貯蔵材料を設計するために行った第一原理スピン分極計算。ジグザグシリセンナノリボン上のLi吸着原子のエッジ吸着は新しいタイプのリチウム貯蔵材料を形成するためにエネルギーで有利であることを予測した。ZSiNRの端でのSi原子へのLi吸着原子からの顕著な電荷移動が見出され,主なイオン相互作用を示している。Li吸着とZSiNRのバンド構造は二つの縁での吸着原子のサイトの変化を用いた高感度であることが分かった。強磁性と反強磁性の変化はその二つの縁でのLi吸着原子の対称吸着ZSiNRで見られた。ZSiNRの端で他の非対称Li吸着は,狭い元ZSiNRで強磁性状態に留まることを好んだ。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強磁性 ,  *折れ線 ,  相互作用 ,  *第一原理 ,  ケイ素 ,  *リチウム ,  バンド構造 ,  対称性 ,  電荷移動 ,  *吸着 ,  スピン分極
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  *シリセン ,  *吸着原子 ,  *リチウム貯蔵 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリセン・ナノリボン ,  電子および磁気的性質 ,  第一原理 ,  エッジ吸着

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 端 ,  リチウム ,  吸着原子 ,  吸着 ,  設計 ,  リチウム貯蔵 ,  第一原理 ,  研究