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J-GLOBAL ID：201702224238514765   整理番号：17A0664431

ポリふっ化ビニリデンを用いたペロブスカイトルテニウム酸ストロンチウム薄膜のトポタクチックふっ素化【Powered by NICT】

Topotactic fluorination of perovskite strontium ruthenate thin films using polyvinylidene fluoride

著者 (12件)： Kawahara K. (Department of Chemistry, The University of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, Japan. [e-mail]) ,  Chikamatsu A. ,  Katayama T. ,  Onozuka T. ,  Ogawa D. ,  Morikawa K. ,  Ikenaga E. ,  Hirose Y. ,  Harayama I. ,  Sekiba D. ,  Fukumura T. ,  Hasegawa T.
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 2  ページ： 313-317  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は異なる結晶学的構造,非層状ペロブスカイトSrRuO_3と層状ペロブスカイトSr_2RuO_4をもつ二つのペロブスカイトルテニウム酸塩薄膜のポリふっ化ビニリデン(PVDF)が仲介するトポタクティックなフッ素化を検討した。前者ルテニウム酸塩は,PVDFと反応しなかったが,後者は大きく拡大したc軸を示した構造を持つSr_2RuO_3F_2を形成するためにフッ素化した。これらの結果は,フッ素イオンはペロブスカイト型ルテニウム酸化物のSrO岩塩ブロックに挿入された優先的であり,前駆体酸化物中の酸素原子はふっ素化により部分的に除去されたことを示した。最後に,Sr_2RuO_3F_2膜は絶縁性であり,300Kで4.1×10Ωcmの抵抗率を持つことを記録した。はこの抵抗率は金属Sr_2RuO_4膜(6.7 × 10~ 4Ω cm)のそれよりも五桁大きいことに注目すべきである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 岩塩 ,  *フッ素化 ,  電気抵抗率 ,  *ポリフッ化ビニリデン ,  前駆体 ,  結晶学 ,  酸化ルテニウム ,  *薄膜 ,  酸化物
準シソーラス用語： 酸素原子 ,  フッ化物イオン ,  ルテニウム酸塩 ,  層状ペロブスカイト ,  *ルテニウム酸ストロンチウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電線・ケーブル  (NA05020S) ,  充填剤,補強材  (YH05030J) ,  撮像・録画装置  (ND12032E) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリふっ化ビニリデン ,  ペロブスカイト ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  薄膜 ,  ふっ素化