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J-GLOBAL ID：201702224931366336   整理番号：17A0885882

ミリ波gyroelectric導波路アイソレータ【Powered by NICT】

A Millimeter-Wave Gyroelectric Waveguide Isolator

著者 (3件)： Jawad Ghassan N. (Department of Electronics and Communication, University of Baghdad, Baghdad, Jadriya, Iraq) ,  Duff Christopher I. (Microwave and Communication Systems Research Group, School of Electrical and Electronics Engineering, The University of Manchester, Manchester, U.K.) ,  Sloan Robin (Microwave and Communication Systems Research Group, School of Electrical and Electronics Engineering, The University of Manchester, Manchester, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 4  ページ： 1249-1256  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいタイプのミリ波導波路アイソレータのを実証した。層状媒質を装荷した方形導波管の解析モデルを開発した後,構造を通って伝搬するすべてのモードが見出された。高非相反性減衰が同定されたアイソレータは,周波数範囲を利用して設計した。アイソレータは77Kに冷却した横方向に磁化されたアンチモン化インジウム(InSb)スラブによるWR-28導波路を負荷することによりKaバンド内で働くように設計されている測定された性能は,1dB挿入損失をもつ20dB以上の単離,これは理論予測と一致を示した。さらに,磁気バイアス(B_0)を変化させ,InSbスラブ上の誘電体層添加の影響を理論的に解析し,測定により検証した。結果は,誘電体層をもった電気回転スラブをトッピングによる弱い磁気バイアスを用いた高アイソレーションを達成する可能性を証明した。非相反挙動も105GHzで作動するアイソレータを用いて実証した,シミュレーション結果はdBの挿入損失とdB以上の分離を示した。本論文で示した結果は,サブミリ波とテラヘルツ周波数範囲で動作する非相反構成要素の実現に向けた道を開くことができ,古典的フェライト素子の性能が劣化する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 挿入損 ,  層状媒質 ,  バイアス ,  周波数 ,  *EHF波 ,  テラヘルツ波 ,  方形導波管 ,  誘電体 ,  アンチモン化インジウム ,  *導波路 ,  解析モデル ,  シミュレーション ,  *アイソレータ ,  サブミリ波
準シソーラス用語： 非相反性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： ジャイレータ,アイソレータ,サーキュレータ  (NC04060J) ,  導波管,同軸線路  (NC04040N) ,  その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ミリ波 ,  導波路 ,  アイソレータ