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J-GLOBAL ID：201702225403867516   整理番号：17A0403551

単層MoS_2によるO_2の相互作用:ドーピングと水素化の効果【Powered by NICT】

Interaction of O₂ with monolayer MoS₂: Effect of doping and hydrogenation

著者 (7件)： Zhao B. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Liu L.L. (Key Lab for Special Functional Materials of Ministry of Education, Henan Province, Henan University, Kaifeng 475004, PR China) ,  Cheng G.D. (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education of China, East China Normal University, Shanghai 200241, PR China) ,  Li T. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Qi N. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Chen Z.Q. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Tang Z. (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education of China, East China Normal University, Shanghai 200241, PR China)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 113  ページ： 1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープした単層MoS_2とO_2の相互作用と水素化の効果はCI NEB法と組み合わせた第一原理計算によって研究した。MoS_2(001)面の表面化学的不活性はCo,NiおよびCu原子をドーピングすることによって破壊することができる。不純物準位はFermi準位の周りに誘起され,及びバンドギャップの減少,O_2分子の吸着に有利なをもたらした。活性化酸素原子は解離反応によって作製されている。ドープしたMoS_2系の表面への水素原子の導入はO_2吸着と解離のための好ましい効果を示した。より不純物準位は水素化MoS_2Co/Ni系に現れ,より多くの電子がCo/Ni原子の3d軌道に局在している,これらのシステムはすべての優れた吸着容量を示した。水素化反応は吸着したO_2に移動する円滑に水素吸着原子により生じる00Hラジカルが生成した。00Hラジカルの伸長した00結合は低い活性化エネルギー障壁と解離し,OHラジカルと活性酸素原子を生成することができる。著者らの理論的研究は,ドープされた単分子層MoS_2システムはO_2分子を捕捉するための有効であり,水素化はO_2分子の吸着と解離を促進することが判明したことを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単分子層 ,  Fermi準位 ,  第一原理 ,  界面化学 ,  活性化エネルギー ,  バンドギャップ ,  *水素化 ,  吸着 ,  ヒドロキシルラジカル ,  活性酸素 ,  *ドーピング ,  不純物準位
準シソーラス用語： 水素吸着 ,  水素原子 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MoS_2 ,  相互作用 ,  第一原理 ,  Hydrogenation

分類 (3件)： 金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  機械的性質  (WB02030U) ,  表面硬化熱処理  (WC03030E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層 ,  相互作用 ,  ドーピング ,  水素化