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J-GLOBAL ID：201702225611968826   整理番号：17A0685702

カーボンナノチューブX線検出器

A carbon nanotube based x-ray detector

著者 (5件)： BOUCHER Richard A (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  BAUCH Juergen (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  WUENSCHE Dietmar (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  LACKNER Gerhard (Univ. Duisburg Essen, Essen, DEU) ,  MAJUMDER Anindya (Globalfoundries, Dresden, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 47  ページ： 475501,1-9  発行年： 2016年11月25日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETを使ったX線検出器の欠点は,X線ビーム曝露が原因となって持続的に劣化するため測定寿命が制限されることである。カーボンナノチューブを使った電界効果トランジスタは,持続的に劣化する欠点は,X線に曝露した後,リセットできるため,解決できる。本研究では,SiO₂を被覆したホウ素ドープp型Si基板上へ誘電泳動によりカーボンナノチューブを堆積した。ことを使ったX線検出器では,最良のゲート電圧シフトとして244VGy^-1,ソース-ドレイン電流感度として382nAGy^-1が得られた。これら値は,MOSFETを使った最新のX線検出器で実現できる値よりも大きい。

シソーラス用語： *X線検出器 ,  *カーボンナノチューブ ,  *FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  電圧 ,  電流 ,  X線照射 ,  照射損傷 ,  劣化
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ドレイン電流

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  X線技術  (BA02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： カーボンナノチューブ ,  X線検出器