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J-GLOBAL ID：201702225710190639   整理番号：17A0442354

蒸着したまま及びアニールしたWO_3膜の合成,電気化学的インピーダンス分光法研究と光電気化学的挙動【Powered by NICT】

Synthesis, electrochemical impedance spectroscopy study and photoelectrochemical behaviour of as-deposited and annealed WO₃ films

著者 (5件)： Levinas R. (Vilnius University, Naugarduko str. 24, Vilnius, Lithuania) ,  Tsyntsaru N. (Vilnius University, Naugarduko str. 24, Vilnius, Lithuania) ,  Tsyntsaru N. (Institute of Applied Physics of ASM, Academiei str. 5, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Lelis M. (Lithuanian Energy Institute, Kaunas, Lithuania) ,  Cesiulis H. (Vilnius University, Naugarduko str. 24, Vilnius, Lithuania)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 225  ページ： 29-38  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WO_3膜は異なる酸性電解質(HCl,H_2SO_4,H_3PO_4,H_3PO_4+NH_4F)と種々の印加電位でのタングステンの陽極酸化により得られた。電気化学インピーダンス分光法を用いて膜形成を研究し,得られた酸化物膜を特性化した。等価電気回路反応性とブロッキングモデル化挙動を提供し,議論する。,酸化膜静電容量は陽極酸化電位の増加と共に直線的に減少することが分かった。タングステン酸化膜の相対誘電率は,用いた酸に依存して31から56まで変化した。膜形成(1.87nmV~ 1)と酸化膜絶縁破壊に対する抵抗性増加の比較的高い反応速度は,0.3Mシュウ酸浴から得られた酸化タングステンで達成できる。電位10Vから30Vの範囲で形成されたコンパクトな酸化物膜が,60Vの陽極酸化電圧の増加は表面エッチングが原因となった無秩序,多孔質構造の形成をもたらした。半導体特性をMott-Schottky解析により決定した。蒸着したままの膜と600°CWO_3でアニールした膜の光電気化学的性質は,パルス及び一定UV照射下でNa_2SO_4溶液中で決定した。は堆積したままの膜と比較してアニールしたWO_3膜はより安定であり,実質的に高いphotelectrochemical電流を発生することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電率 ,  キャラクタリゼーション ,  モデリング ,  アノード酸化 ,  静電容量 ,  *電気化学的挙動 ,  反応速度 ,  反応性 ,  紫外線照射 ,  酸化タングステン ,  タングステン ,  *電気化学
準シソーラス用語： 電気化学的特性 ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  *インピーダンス分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 陽極酸化 ,  三酸化タングステン ,  電気化学的インピーダンス分光法 ,  アニーリング ,  光電流

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸着 ,  アニール ,  電気化学 ,  インピーダンス分光法 ,  研究 ,  電気化学的挙動