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J-GLOBAL ID：201702225743770156   整理番号：17A0164341

GAINASP/INPステップの量子井戸における電子-電子の散乱率を計算した。【JST・京大機械翻訳】

Electron-electron Scattering Rate in GaInAsP /InP Stepped Quantum Well

著者 (5件)： Wang Hailong (Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology, College of Physics and Engineering,Qufu Normal University) ,  Li Zheng (Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology, College of Physics and Engineering,Qufu Normal University) ,  Hu Min (Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology, College of Physics and Engineering,Qufu Normal University) ,  Li Shiling (Shandong Provincial Key Laboratory of Laser Polarization and Information Technology, College of Physics and Engineering,Qufu Normal University) ,  Gong Qian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 11  ページ： 1408-1414  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 有効質量近似の下で,GA_XIN_(1-X)AS_YP_(1-Y)/IN Pステップの量子井戸における2つの電子と1つの励起状態からの基底状態サブバンドへの二つの電子の平均値を計算した。計算結果によると、電子-電子の散乱率と平均散乱率はGA成分と井戸幅の増大に伴い上昇し、AS成分の増大に伴い低下する。散乱は,電場と電場強度の増加とともに減少し,平均散乱はキャリア濃度の増加とともに増加した。電子温度の平均値に対する影響は明らかでなく,平均温度率は電子温度の上昇とともにわずかに低下した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子温度 ,  電場 ,  励起状態 ,  電界強度 ,  *量子井戸 ,  基底状態 ,  キャリア密度 ,  *散乱
準シソーラス用語： サブバンド ,  有効質量近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Gax In_(1-x)As_yP_(1-y) /InP ,  stepped quantum well ,  electron ,  Fermi’s golden rule ,  scattering rate

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaInAsP ,  InP ,  量子井戸 ,  電子 ,  散乱 ,  計算