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J-GLOBAL ID：201702226068643446   整理番号：17A0751653

AlGaN/GaNナノワイヤチャネル高電子移動度トランジスタの物理に基づくしきい値電圧モデル【Powered by NICT】

A physics-based threshold voltage model of AlGaN/GaN nanowire channel high electron mobility transistor

著者 (11件)： He Yunlong (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Zhai Shaopeng (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Mi Minhan (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Zhou Xiaowei (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Zheng Xuefeng (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Zhang Meng (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Zhang Peng (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Yang Ling (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Wang Chong (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Ma Xiaohua (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, P.R. China) ,  Hao Yue (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2 South Taibai Road, Xi’an, 710071, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201600504  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNナノワイヤチャネル高電子移動度トランジスタ(NC HEMTs)のしきい値電圧の新しい簡単なモデルを構築した。異なるナノワイヤチャネル幅を持つ四NC H EMTを作製し,従来のHEMTは比較のために作製した。ナノワイヤチャネル幅の減少で,NC EMTのしきい値電圧を積極的に移動する。,ナノワイヤチャネル幅に及ぼす電子濃度の依存性をSilvacoシミュレーションソフトウェアによって研究した。ナノワイヤチャネル幅の減少で,電子濃度は減少した。最後に,NC HEMTモデリングのための従来のHEMTのしきい値電圧モデルを認識し,NC H EMTのしきい値電圧の新しいモデルが得られた。このモデルは,ナノワイヤチャネル幅に及ぼす電子濃度の依存性を説明することができる。サイドゲートによって形成された空乏領域幅は約37nmで新しいモデル方程式によって得られたである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  モデリング ,  *HEMT
準シソーラス用語： 空乏領域 ,  サイドゲート ,  シミュレーションソフトウェア ,  電子濃度 ,  チャネル幅 ,  *閾値電圧 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaN ,  H EMT ,  ナノワイヤチャネル ,  しきい値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  チャネル ,  高電子移動度トランジスタ ,  物理 ,  しきい値電圧 ,  モデル