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J-GLOBAL ID：201702226303378037   整理番号：17A0801352

MIS(金属-絶縁体-半導体)トンネル構造のアドミタンス特性に及ぼす界面トラップパラメータの影響

Effect of Interface Traps Parameters on Admittance Characteristsics of the MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) Tunnel Structures

著者 (3件)： JASINSKI Jakub (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  MAZURAK Andrzej (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  MAJKUSIAK Bogdan (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10175  ページ： 1017508.1-1017508.8  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MISトンネル構造の電気的特性に対する界面トラップ密度(N_it)とゲート絶縁膜の厚み(t_ox)の影響を,半導体基板領域における反転に対応するバイアス電圧範囲に関連付けて論じた。素子の平衡および非平衡操作方式に及ぼすN_itとt_oxの影響を示した。界面トラップの小信号応答の幾つかのモデルを提案し,トラップの充放電過程に関連する幾つかの現象を論じた。SiO₂とHfO_xからなるゲート絶縁膜を有するMIS構造を解析した結果,N_itとt_oxがMISトンネル構造の平衡動作と非平衡動作との間の遷移に影響を与えることを立証した。

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *インピーダンス ,  *キャリア捕獲 ,  界面 ,  密度 ,  ゲート絶縁膜 ,  電圧 ,  *アドミタンス ,  トラップ密度 ,  *界面トラップ
準シソーラス用語： バイアス電圧

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： MIS ,  絶縁体 ,  トンネル ,  アドミタンス ,  界面トラップ ,  パラメータ