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J-GLOBAL ID：201702226682115078   整理番号：17A0219428

低ヘイズ,アニーリングフリーで,非常に長いAgナノワイヤの合成および柔軟な透明タッチパネルへの応用

Low-haze, annealing-free, very long Ag nanowire synthesis and its application in a flexible transparent touch panel

著者 (4件)： MOON Hyunjin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  WON Phillip (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jinhwan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KO Seung Hwan (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 29  ページ： 295201,1-10  発行年： 2016年07月22日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 携帯電話,タブレットPC,および太陽電池などのすべてには,テクノロジースタックの不可欠な要素として透明導電体(TC)が必要です。今日,この目的のために使用される主要な材料は,インジウムがドープされた酸化スズ(ITO)である。しかし,主に供給不足と本質的に壊れやすいセラミックスの特性のために,この材料が問題となっている。本研究では,AgNW合成法の制御性を高めるためにいくつかの合成因子を検討した。特に,AgNO₃のモル濃度とNaClの濃度,およびPVPの分子量がAgNWの直径および長さに及ぼす影響を研究した。パラメトリック研究から得られた知見を応用することにより,本研究の結果は様々なAgNW合成法に適用可能であることが確認されてた。最終的に,短鎖および長鎖の複数のタイプのPVPを混合し,低いAgNO₃モル濃度を選択し,徐々にNaClモル濃度を増加させることによって,高いアスペクト比の薄いナノワイを合成した。アスペクト比の高い合成AgNW薄膜を用いることにより,拡散光の透過率を最小限に抑えて低曇りTCを作製することができた。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  パネル ,  *入力装置 ,  *透明電極 ,  最適化 ,  *透過率 ,  銀ナノワイヤ ,  タッチパネル ,  パラメトリック最適化 ,  改変
準シソーラス用語： *ヘイズ

分類 (2件)： 入出力装置  (JC04050U) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘイズ ,  アニーリング ,  Ag ,  ナノワイヤ ,  タッチパネル ,  応用