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J-GLOBAL ID:201702228760089279   整理番号:17A0509890

チップ増強Ramanボルタンメトリー 被覆率依存性と定量的モデリング

Tip-Enhanced Raman Voltammetry: Coverage Dependence and Quantitative Modeling
著者 (7件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 590-596  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電気化学原子間力顕微鏡(EC-AFM)のプローブチップを用いて増強Raman分光と同時にサイクリックボルタモグラム(TERS-CV)の測定を,ITO電極上の種々の被覆率のナイルブルー(NB)分子膜の種々の空間位置において行い,単一分子の電気化学を研究した。種々の被覆率及び空間位置におけるTERS測定における591cm-1モードの積分強度のCVを得,Lavironモデルに基づく当て嵌めにより表面結合電気化学活性種に対する定量的な式量電位を得た。さらにそれぞれの被覆率の種々の空間位置の単一或は数分子の式量電位のヒストグラムから中性の還元化学種に比し,カチオン性の酸化化学種の電気化学挙動が局所環境に対してより鈍感であることを示した。部位を特定したEC-AFM TERS-CVによる電気化学測定と定量的モデリングの組み合わせは,電気触媒,生物における電子移動,及びエネルギー生産と貯蔵の如き応用におけるナノスケールの電極の不均一性の理解に役立つであろう。
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分類 (3件):
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酸化,還元  ,  有機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  ,  電極過程 
物質索引 (1件):
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