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J-GLOBAL ID：201702228895180254   整理番号：17A0289435

相変化材料TiSbTeの微細構造の変化

Microstructure evolution of the phase change material TiSbTe

著者 (10件)： CHEN Yongjin (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  ZHANG Bin (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  DING Qingqing (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  DENG Qingsong (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  CHENG Yan (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. Micro-system and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LI Jixue (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHANG Ze (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  ZHANG Ze (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  HAN Xiaodong (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9818  ページ： 98180B.1-98180B.6  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スマートフォンやタブレットコンピュータなどのポータブル電子デバイス市場の爆発的な成長は,半導体産業における不揮発性メモリ(NVM)技術に大きな関心を集めている。情報記憶材料の結晶質と非晶質相との間の大きな光学的または電気的特性のコントラストを利用する相変化メモリ(PCM)は,将来のNVMデバイスにとって有望な候補であると考えられている。本研究では,アニーリング温度の関数として,アモルファス相から多結晶相への構造変化を調べるために,電子回折およびラジカル分布関数(RDF)分析と組み合わせて,その場でアニールした膜の形態の透過型電子顕微鏡(TEM)分析を行った。超高エネルギー分散型X線(EDX)分光計を備えた高度なCs補正走査透過型電子顕微鏡(STEM)を用いて,多結晶状態の結晶構造をさらに調べた。TiSbTe合金の結晶化プロセスおよび結晶構造は,PCMにおけるその適用に不可欠であるので調査した。S(Q)におけるプレピークの存在は,a-TSTにおけるMRO構造の存在を示唆し,このような構造が高速結晶化に有益であることを示唆している。さらに,TiTe₂の部分相分離は,主にSAEDパターンとRDFによって確認された。

シソーラス用語： *材料 ,  アンチモン化合物 ,  テルル化物 ,  チタン合金 ,  *微細構造 ,  携帯端末 ,  *不揮発性メモリ ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *相変化材料 ,  テルル化アンチモン
準シソーラス用語： ポータブル端末 ,  *相変化メモリ

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 相変化材料 ,  微細構造