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J-GLOBAL ID：201702229076996486   整理番号：17A0094305

エピタキシャル六方晶AlN/Ag(111)上のゲルマネン成長の証拠

Evidence for Germanene growth on epitaxial hexagonal (h)-AlN on Ag(1 1 1)

著者 (8件)： D’ACAPITO F (IOM, CNR, Grenoble, FRA) ,  TORRENGO S (IOM, CNR, Grenoble, FRA) ,  XENOGIANNOPOULOU E (National Center for Scientific Res.: DEMOKRITOS, Athens, GRC) ,  TSIPAS P (National Center for Scientific Res.: DEMOKRITOS, Athens, GRC) ,  VELASCO J Marquez (National Center for Scientific Res.: DEMOKRITOS, Athens, GRC) ,  VELASCO J Marquez (National Technical Univ. Athens, Athens, GRC) ,  TSOUTSOU D (National Center for Scientific Res.: DEMOKRITOS, Athens, GRC) ,  DIMOULAS A (National Center for Scientific Res.: DEMOKRITOS, Athens, GRC)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 28  号： 4  ページ： 045002,1-8  発行年： 2016年02月03日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  バッファ層 ,  窒化アルミニウム ,  ナノ構造 ,  RHEED ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  EXAFS ,  *バンド構造 ,  低次元系 ,  二次元 ,  無機材料 ,  *X線吸収スペクトル ,  *MBE成長
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光 ,  ゲルマネン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  六方晶 ,  AlN ,  Ag ,  ゲルマネン ,  成長 ,  証拠