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J-GLOBAL ID：201702229416012125   整理番号：17A0805200

異なる格子基板上の薄膜成長のMONTE CARLOシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Monte Carlo simulation and study of thin film growth on different crystal substrate

著者 (6件)： TAN Tian-Ya (Faculty of Physics, Liaoning University) ,  LI Chun-Mei (Faculty of Physics, Liaoning University) ,  SU Yu (Faculty of Physics, Liaoning University) ,  ZHANG Jing (Faculty of Physics, Liaoning University) ,  WU Wei (Faculty of Physics, Liaoning University) ,  GUO Yong-Xin (Faculty of Physics, Liaoning University)
資料名： Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao  (Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao)
巻： 26  号： 2  ページ： 343-348  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2079A  ISSN： 1000-0364  CODEN： YYFXEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 正方晶と六方晶格子上の薄膜成長の初期段階島の形態と島の大きさと基底温度と入射粒子の残留エネルギーとの関係をMONTE CARLO(MC)シミュレーションにより研究した。粒子の堆積、吸着粒子の拡散と蒸発などの過程を考慮した。結果は,基板の格子構造が薄膜成長に明らかな影響を及ぼすことを示した。基板温度が300K、入射粒子の残留エネルギーが0の場合、正方格子の基底上の薄膜の成長はすでに明らかな凝集成長を呈し、基底温度あるいは入射粒子の残留エネルギーの増加に伴い、島の数が少なくなり、島の平均サイズが大きくなる。六方晶格子基底に対して、入射粒子の残留エネルギーが0、温度が300Kから350Kに上昇したとき、島の形態は分散成長からフラクタル成長へと変化した。基板温度が300K,入射粒子の残留エネルギーが0から0.05EVに増加したとき,島は分散成長からフラクタル成長に変化した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 凝集 ,  六方晶系 ,  基板温度 ,  *薄膜成長 ,  フラクタル ,  基底 ,  正方格子 ,  *シミュレーション ,  吸着 ,  *薄膜 ,  正方晶系 ,  格子構造

分類 (5件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  高分子溶液の物理的性質  (CG02013S) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  チャネリング,ブロッキング,粒子のエネルギー損失  (BK16100J) ,  金属中の拡散  (BL06022C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 格子 ,  薄膜成長 ,  シミュレーション