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J-GLOBAL ID：201702229530417071   整理番号：17A0551719

InPナノワイヤベースの光検出器におけるバイアス依存性スペクトルチューニング

Bias-dependent spectral tuning in InP nanowire-based photodetectors

著者 (16件)： JAIN Vishal (Lund Univ., Lund, SWE) ,  JAIN Vishal (Halmstad Univ., Halmstad, SWE) ,  HEURLIN Magnus (Lund Univ., Lund, SWE) ,  KARIMI Mohammad (Lund Univ., Lund, SWE) ,  KARIMI Mohammad (Halmstad Univ., Halmstad, SWE) ,  HUSSAIN Laiq (Lund Univ., Lund, SWE) ,  HUSSAIN Laiq (Halmstad Univ., Halmstad, SWE) ,  AGHAEIPOUR Mahtab (Lund Univ., Lund, SWE) ,  NOWZARI Ali (Lund Univ., Lund, SWE) ,  BERG Alexander (Lund Univ., Lund, SWE) ,  NYLUND Gustav (Lund Univ., Lund, SWE) ,  CAPASSO Federico (Harvard Univ., MA, USA) ,  SAMUELSON Lars (Lund Univ., Lund, SWE) ,  BORGSTROEM Magnus T (Lund Univ., Lund, SWE) ,  PETTERSSON Hakan (Lund Univ., Lund, SWE) ,  PETTERSSON Hakan (Halmstad Univ., Halmstad, SWE)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 11  ページ： 114006,1-8  発行年： 2017年03月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近20年間の,メインストリームのシリコン技術と互換性がある,新規な高性能トランジスタ,LED,レーザー,光検出器およびセンサーへにおける非常に興味深い見通しのために,ナノワイヤ(NW)に関する研究活動が劇的に増加している。本研究では,InP NW光検出器の電気的および光学的特性に対する,吸収セグメントおよび上部セグメントのドーピングレベルの影響についての研究を提示する。しなわち,垂直形状において並列に接続された400万個のInP NWに基づく,光検出器の特性に及ぼすドーピングプロファイルおよびバイアスの影響に関する研究を行った。本研究では,p⁺-n^-1-n InP NWデバイスにおける,NW tip-ITO界面では以前に観察されなかったショットキー様接触に起因する,応答性のスペクトル形状のバイアス依存性チューニングについて報告した。電気的測定と組み合わせたシミュレートされた吸収スペクトルと比較した,角度依存性応答測定は,この主張を実証した。電場分布のシミュレーションは,NWアレイデバイスの有効なラップゲートジオメトリによって誘導される可能性のある,自己ゲート効果が典型的に小さいことを示している。

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  *光検出器 ,  *電気的性質 ,  *光学的性質 ,  *不純物分布 ,  分布
準シソーラス用語： InP ,  ドーピングプロファイル ,  電場分布

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  光電デバイス一般  (NC03081P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  ナノワイヤ ,  光検出器 ,  バイアス依存性 ,  スペクトル ,  チューニング