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J-GLOBAL ID：201702229560853669   整理番号：17A0056400

高速InGaAs/InAlAs/InP pHEMTの製作のためのゲートリセス段階に関する包括的研究【Powered by NICT】

Comprehensive study on gate recess step for the fabrication of high-speed InGaAs/InAlAs/InP pHEMT

著者 (8件)： Isa M. Mohamad (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Ahmad N. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Isa Siti S. Mat (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Ramli Muhammad M. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Khalid N. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Nor N. I. M. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Kasjoo S. R. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Missous M. (School of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester, M13 9PL, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICED  ページ： 29-34  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい高速pHEMTデバイス作製のためのゲートリセス段階に関する包括的なエッチング研究を報告した。実験は,InGaAsキャップ層での不完全なエッチングプロセスの結果としての「ハンプ」構造の除去に焦点を当てた。本研究では,二種類の試験試料をエッチストップ層と共に用い,すなわちバルクInGaAsとエピタキシャル構造であった。結果はバルクInGaAsのエッチング速度は約360Å/分であり,ドーム高さの割合は約25%で一致していることを示した。一方,pHEMTエピタキシャル層に関する研究は,キャップ層を完全に除去するために,3分間のエッチング時間で十分であることを示した。10倍以上低い大きさのゲート漏れ電流はコハク酸をゲートリセスエッチング剤としてデバイスで観測された。最適化された処理段階は高速応用のための高度に再現性のあるpHEMT製造プロセスのための調整Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再現性 ,  エピタクシー ,  エッチング ,  生産工程 ,  エッチング液 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *高速度 ,  最適化 ,  エピタキシャル層 ,  改変 ,  脂肪族カルボン酸 ,  ジカルボン酸
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  エッチング速度 ,  キャップ層 ,  *PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： コハク酸

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaAs ,  InAlAs ,  InP ,  PHEMT ,  製作 ,  ゲート ,  段階 ,  研究