文献
J-GLOBAL ID:201702229862230797   整理番号:17A0062584

スマートグリッドは高出力密度1500A/3Vのバイポーラトランジスタモジュールを使用した。【JST・京大機械翻訳】

High Power Density 1 500 A/3 300 V Insulated Gate Bipolar Transistor Module for Smart Grid Application
著者 (5件):
資料名:
巻: 36  号: 10  ページ: 2784-2792  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2285A  ISSN: 0258-8013  CODEN: ZDGXER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
二重拡散金属酸化物半導体(DIFFUSED METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR,DMOS)のセル設計技術に基づき、スマートグリッドの需要に対して、「電子注入増強」およびメサゲート技術を導入した。3V300Vのバイポーラトランジスタバイポーラトランジスタ(IGBT)チップの全体性能を最適化した。このチップにより作製した1500A/300V高出力密度IGBTモジュールは、最適化前の定格電流が1200Aから1500Aに上昇した(25%)。同時に,導通圧降は2.8Vから2.4V(14%)まで低下し,最高接合温度は125°Cから150°Cに上昇した。バイアス安全作業区(REVERSE BIASED SAFE OPERATION AREA,RBSOA)と短絡安全作業区(SHORT-CIRCUIT SAFE OPERATION AREA,SCSOA)の試験により、以下のことを示した。このモジュールは,2000Vの電圧で3000Aの電流をターンオンすることができ,ゲート電圧が15V,コレクタ電圧が2000Vのとき,安全運転時間は10MS以上であった。試験結果は,このモジュールのスイッチング損失とスイッチング損失性能が,同型国際的製品のものに相当することを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電力系統一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る