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J-GLOBAL ID：201702229894098890   整理番号：17A0071215

SB_2S_3太陽電池の研究進展【JST・京大機械翻訳】

Research Progress of Sb_2S_3 Solar Cells

著者 (4件)： Tan Miao (College of New Energy,Bohai University) ,  Zhang Lina (College of New Energy,Bohai University) ,  Tao Hongxiu (College of New Energy,Bohai University) ,  Gao Mengdi (College of New Energy,Bohai University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 45  号： 8  ページ： 2125-2129  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 硫化アンチモン(SB_2S_3)は一種の性質が安定しているV-VI型半導体材料であり、地殻中の含有量が豊富で、安全性が高い。SB_2S_3は高い光吸収係数(≒105CM(-1))を有しており,バンドギャップ幅は中程度で,容易に制御され(1.5~2.2EV),大部分の可視光スペクトルをカバーしているため,応用が期待される太陽電池材料の一つと考えられる。SB_2S_3に関する最近の研究に基づき,SB_2S_3太陽電池の研究進展と開発状況を紹介し,その開発動向を予測した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 地殻 ,  可視光 ,  *太陽電池 ,  安全性 ,  スペクトル ,  半導体材料 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 開発動向 ,  吸光係数 ,  硫化アンチモン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： antimony sulfide ,  solar cell ,  nanostructure

分類 (4件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  ブレーキ装置  (QG03030K) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  硫黄とその化合物  (YB02020L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 太陽電池 ,  研究 ,  進展