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J-GLOBAL ID：201702230025295684   整理番号：17A0171567

逆阻型ゲートバイポーラトランジスタの研究進展【JST・京大機械翻訳】

Research and Development of Reverse Blocking Technology for IGBT

著者 (6件)： Zhang Guangyin (University of Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Si Devices Technologies, Institute of Microeletronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Shen Qianxing (Jiangsu R&D Center for Internet of Things) ,  Zhang Xukun (Jiangsu R&D Center for Internet of Things) ,  Tian Xiaoli (University of Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Si Devices Technologies, Institute of Microeletronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Shuojin (Jiangsu R&D Center for Internet of Things) ,  Zhu Yangjun (Jiangsu R&D Center for Internet of Things)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 10  ページ： 721-729  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 逆阻型-絶縁(RB-IGBT)は新しいIGBTデバイスであり,IGBTのセル構造と耐電圧の二極管元胞構造を同じチップに集積する。RB-IGBTは,従来のIGBT直列ダイオードと比較して,総通態圧の低コスト,低コスト,低周波数,および簡単な回路構造のような多くの利点を持っている。提案されて以来、RB-IGBTは構造設計と加工技術の面で絶えず改良され、その性能が向上し、RB-IGBTはより広い応用前景を持っている。RB-IGBTの開発過程と双方向の耐圧原理を要約し,改良RB-IGBT構造と国際的技術を強調した。熱的予算,技術的困難性,および技術的コストの観点から,種々のプロセス技術の利点と欠点を分析し,プロセスの実用化について議論した。RB-IGBTの開発動向を分析し予測し,ハイブリッド分離技術とドリフト領域の改良が,RB-IGBTの開発方向であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *IGBT ,  ドリフト ,  LF【周波数】 ,  ダイオード ,  構造設計
準シソーラス用語： 開発動向 ,  開発プロセス ,  加工技術 ,  回路構成 ,  耐電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： power device ,  reverse blocking-insulated gate bipolar transistor (RB-IGBT) ,  reverse blocking ,  isolation technique ,  termination ,  hybrid isolation

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  バイポーラトランジスタ ,  研究 ,  進展