文献

J-GLOBAL ID：201702230369456083   整理番号：17A0057903

リセスゲートによる縮尺AlGaN/GaNH FETの改善された性能【Powered by NICT】

Improved performance of scaled AlGaN/GaN HFETs by recessed gate

著者 (6件)： Lv Yuanjie (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Song Xubo (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Zhang Zhirong (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Tan Xin (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Fang Yulong (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Feng Zhihong (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 107-109  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スケールされたAlGaN/GaNH FETの性能はゲートリセス技術と再成長n~+GaN Ohm接触を用いて顕著に改善された。ソースに対するドレイン距離(Z_sd)は再成長n~+GaN Ohm接触を用いて600nmにスケールアップした。低損傷ゲートリセスは60nmのT形ゲートメタライゼーションの前に採取した。ドレイン電流曲線は,ニー電圧で平坦になるが,短チャネル効果は,ゲートリセス後明らかに抑制された。ピーク相互コンダクタンス(g_m)は607mS/mmから764mS/mmであった。さらに,ゲートリセス後,最大発振周波数(f_max)の値は,192GHzから263GHzに増加し,はの単位電流利得遮断周波数(f_T)値の減少はほとんどなかった。ゲートリセスを持つデバイスは,AlGaN/GaNH FETにおけるf_T f_maxの記録的値を示した。これはAlGaN/GaNHFETsはさらなる最適化によるDバンド応用の可能性を持つことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *短チャネル効果 ,  スケールアップ ,  相互コンダクタンス ,  最適化 ,  電圧 ,  遮断周波数
準シソーラス用語： 電流利得 ,  発振周波数 ,  ドレイン電流 ,  再成長 ,  *縮尺 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 縮尺 ,  AlGaN ,  FET