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J-GLOBAL ID：201702230439513833   整理番号：17A0703892

ZnO量子ドット修飾MoS_2薄膜の強化された光応答【Powered by NICT】

Enhanced photoresponse of ZnO quantum dot-decorated MoS₂ thin films

著者 (9件)： Nazir Ghazanfar (Department of Physics & Astronomy, Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul 05006, Korea. [e-mail]) ,  Khan M. Farooq ,  Akhtar Imtisal ,  Akbar Kamran ,  Gautam Praveen ,  Noh Hwayong ,  Seo Yongho ,  Chun Seung-Hyun ,  Eom Jonghwa
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 27  ページ： 16890-16900  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,オプトエレクトロニクスおよび光検出におけるそれらの応用のため注目を集めている。広く使用されているTMD半導体は二硫化モリブデン(MoS_2),その調整可能なバンドギャップと高い発光量子効率のために大変に利用されている。MoS_2上に酸化亜鉛(ZnO)量子ドット(ZnO QDs)の薄層を修飾することにより,高い光感度(R_λ~1913A W~ 1)MoS_2光検出器について報告した。結果はR_λはV_bg=30Vで2267A W~ 1に劇的に増加することを示した。ZnO QDs/MoS_2ヘテロ構造の高い応答は多くの因子に起因し,ZnO-QDsとMoS_2表面間の効果的な電荷移動と電子-正孔対の生成をもたらす光光子の再吸収である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  量子効率 ,  電荷移動 ,  *量子ドット ,  光検出器 ,  オプトエレクトロニクス ,  電子正孔対 ,  バンドギャップ ,  光検出 ,  光子
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  光感度 ,  二硫化モリブデン ,  *光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  量子ドット ,  修飾 ,  薄膜 ,  強化 ,  光応答