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J-GLOBAL ID:201702230449290485   整理番号:17A0473366

低周波数範囲におけるCaCu_3Ti_4O_12薄膜の優先配向と緩和挙動【Powered by NICT】

Preferential orientation and relaxation behaviors of CaCu3Ti4O12 thin films in a low frequency range
著者 (9件):
資料名:
巻: 704  ページ: 676-682  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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CaCu_3Ti_4O_12(CCTO)薄膜を,高周波マグネトロンスパッタリングにより500°CでPt/Ti/SiO_2/Si基板上に堆積した。CCTO膜の構造と誘電挙動に及ぼすアニーリング雰囲気の影響を調べた。純粋立方晶相が全ての試料で確認された。特に優先(422)配向は,堆積されたままのものよりもアニールした薄膜の支配的であった。一方,誘電緩和挙動は堆積したままの膜とは異なり,アニーリング後に消失したアニールしたもの:酸素空孔の二次イオン化に起因する堆積したままの膜の中間周波数での緩和。,酸素雰囲気アニーリングは,1Hzの低周波,は,堆積されたままのものより二桁高いことで~10~4まで高い相対誘電率を引き起こした。酸素中で加熱後に良く結晶化に帰せられる。一方,アニールした膜の誘電率の実部は蒸着したままの一つであるマイクロエレクトロニクス産業における質量と安定貯蔵のための電位はよりも周波数と温度より無関係。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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酸化物薄膜  ,  セラミック・磁器の性質  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  誘電体一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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