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J-GLOBAL ID：201702230578362716   整理番号：17A0366118

SnドープBa_0 8Sr_0 2TiO_3セラミックの構造進化と電気的特性【Powered by NICT】

Structural evolution and electrical characteristics of Sn-doped Ba_0.8Sr_0.2TiO₃ ceramics

著者 (6件)： Chihaoui S. (Ferroelectric Materials Laboratory (LMF), Laboratory of Multifunctional Materials and Applications (LMMA), University of Sfax, Faculty of Sciences of Sfax (FSS), Street Soukra km 3.5 BP 1171, 3000 Sfax, Tunisia) ,  Seveyrat L. (Laboratory of Electrical Engineering and Ferroelectricity (LGEF), INSA-Lyon, University of Lyon, EA682, F-69621 Villeurbanne, France) ,  Perrin V. (Laboratory of Electrical Engineering and Ferroelectricity (LGEF), INSA-Lyon, University of Lyon, EA682, F-69621 Villeurbanne, France) ,  Kallel I. (Ferroelectric Materials Laboratory (LMF), Laboratory of Multifunctional Materials and Applications (LMMA), University of Sfax, Faculty of Sciences of Sfax (FSS), Street Soukra km 3.5 BP 1171, 3000 Sfax, Tunisia) ,  Lebrun L. (Laboratory of Electrical Engineering and Ferroelectricity (LGEF), INSA-Lyon, University of Lyon, EA682, F-69621 Villeurbanne, France) ,  Khemakhem H. (Ferroelectric Materials Laboratory (LMF), Laboratory of Multifunctional Materials and Applications (LMMA), University of Sfax, Faculty of Sciences of Sfax (FSS), Street Soukra km 3.5 BP 1171, 3000 Sfax, Tunisia)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 1 PA  ページ： 427-432  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる組成(x=0~0;0.03;0.05;0.07;0.10及び0.20)を持つ(Ba_0 8Sr_0,2)(Ti_1 xSn_x)O_3(BSTS)ペロブスカイト構造強誘電体セラミックを,通常の高温固相反応により合成した。X線回折(XRD)研究は,室温(RT)でx≧0.07でx≦0.05と立方晶の平均正方晶対称性を持つ純粋な固溶体の同定を可能にした。特に,組成x=0.05では,88.84%に近い支配的画分と立方晶(Pm 3 m)(11.16%)相と正方晶(P4mm)の共存をRietveld精密化による粉末で測定した。BSTS試料の局所構造を,Raman分光法,室温でSnリッチ組成(x≧0.05)の菱面体晶相の小部分を示すにより研究した。誘電分析はx≦0.10では散漫相転移を示し,誘電率は,純粋な(Ba_0 8Sr_0,2)TiO_3のそれよりも三倍高いとなりx=0.20のとき,材料は正常な強誘電性から典型的なリラクサ強誘電体。RTで測定した巨視的分極-電場ループは14.31~1.35μC/cm~2XRDおよび誘電的研究を確認から3kV/mmの最大磁場での分極の減少を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 精密化 ,  三方晶系 ,  正方晶系 ,  リラクサ ,  散漫相転移 ,  固相反応 ,  *ドーピング ,  強誘電体 ,  誘電率 ,  固溶体 ,  Raman分光法 ,  強誘電性
準シソーラス用語： 局所構造 ,  強誘電体セラミック ,  ペロブスカイト型構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： XRD ,  Raman分光法 ,  誘電体 ,  強誘電体

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sn ,  ドープ ,  セラミック ,  構造進化 ,  電気的特性