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J-GLOBAL ID:201702231254614681   整理番号:17A0366114

欠陥はrfスパッタしたMnドープCeO_2薄膜に支援された室温強磁性【Powered by NICT】

Defect assisted room temperature ferromagnetism on rf sputtered Mn doped CeO2 thin films
著者 (9件):
資料名:
巻: 43  号: 1 PA  ページ: 399-406  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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純粋およびマンガンをドープした酸化セリウム(CeO_2とMn CeO_2)薄膜をCeO_2とMn CeO_2ターゲットを有するrfマグネトロンスパッタリングを用いてガラス基板上に堆積した。堆積した膜をX線回折(XRD),X線光電子分光法(XPS),光ルミネセンス(PL),原子間力顕微鏡(A FM)および振動試料磁力計(VSM)を用いて特性化した。XRDパターンはMnドープCeO_2膜の低角度への(220)面とピークシフトの配向成長と膜の単結晶性を明らかにした。Mnをドープした酸化セリウムは約,490 520nmで強いルミネセンスを示し,多分Mnドーピングにより生成した酸素空格子点のような欠陥に起因した。酸素空格子点がMnドープCeO_2薄膜の強磁性の原因であるが,純粋なCeO_2薄膜は常磁性挙動を示した。増強された磁気特性はMnイオン間の複合体の形成とXPS解析によって確認された酸素空孔に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  無機化合物のルミネセンス 

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