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J-GLOBAL ID:201702231466333262   整理番号:17A0449134

高速,長周期リチウムイオン電池のためのアノード材料としての単純化した化学蒸着法により調製したCu_3Siをドープした多孔質シリコン粒子【Powered by NICT】

Cu3Si-doped porous-silicon particles prepared by simplified chemical vapor deposition method as anode material for high-rate and long-cycle lithium-ion batteries
著者 (8件):
資料名:
巻: 701  ページ: 425-432  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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リチウム電池工業における高性能シリコン基アノード材料の大規模生産のための可能な提案を提供するために,Cu_3Siナノ粒子をドープした多孔質シリコン粒子を初めて単純化した化学蒸着(CVD)プロセスと熱処理によって調製した。本研究では,Cu_3Siドーピング量について,充放電試験,透過型電子顕微鏡および電気化学インピーダンス分光法試験によって最適化した。結果は,多孔質シリコン(PS)粒子と比較して,Cu_3Siドーピングはけい素系負極の放電容量,クーロン効率,容量保持,および高速性能を有意に増強することを示した。3036.4mAのhg~( 1)の放電容量と最初のサイクル(最初の三形成サイクル後)で90.49%のクーロン効率と100サイクル後に58.72%の容量を保持し,最適性能は2wt%のCu_3Siドーピング含有量で発生した。その理由は以下の通りである:同様にシリコンナノロッド構造を有するPS粒子がサイクリングプロセス中の電極の機械的安定性を維持するために体積変化を調節し;単純化したCVDプロセス中に,シリコンのナノ構造は保持されていた;Cu_3Siドーピングによる高伝導率は固体電解質界面(SEI)膜の形成抵抗を減少させ,シリコンベース材料内部のLi~+の拡散係数を向上させた過剰Cu_3Siドーピングに起因する少ないCu_3Siドーピングと凝集粒子の両方は,不十分な電気伝導率をもたらし,シリコンベース材料のためのSEI膜の抵抗を減少させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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二次電池 

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