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J-GLOBAL ID：201702231572826234   整理番号：17A0664491

ドーピング誘起変化に及ぼすIn_2S_3:Ho~3+量子ドットの合成と研究【Powered by NICT】

Synthesis and investigations of In₂S₃:Ho³⁺ quantum dots on doping induced changes

著者 (6件)： Li Zhifang (State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Chuai Mingyan ,  Zhao Qi ,  Yang Tianye ,  Yu Hai ,  Zhang Mingzhe
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 5  ページ： 853-859  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希薄磁性半導体(DMS)量子ドットは,材料中の電子の電荷およびスピンの性質を組み合わせたスピントロニクスデバイスへの潜在的な応用のために広く研究されている。ここでは,異なるドーピング濃度を持つIn_2S_3:Ho~3+量子ドット(3 5 nm)は,著者らが構築した施設を用いて合成し,対応する成長機構を提案し,詳細に議論した。は光学的および磁気的性質に及ぼす種々のHo~3+含有量の影響を調べた。吸収および発光スペクトルは強い量子サイズ閉込め効果と大きなStokesシフトを示した。バンドギャップエネルギーはドーピング濃度が3.19から3.62eVまで変えることによって調整できる。放出過程は励起子再結合と近doping/near欠陥励起子ルミネセンスに帰属した。過剰Ho~3+含有量は濃度消光の結果として光ルミネセンスの強度を減少させた。室温強磁性はVSM測定から観察された。種々のHo~3+ドーピング濃度に伴う飽和磁化の変化はBMP理論に基づいて説明し,議論した。さらに,バンドギャップ分布と化学結合機構はVASP第一原理計算を用いて明確に例証される。本研究では,ユニークなスピントロニクス材料,スピントロニクス応用の開発を促進することができる,を設計し,合成するための実験的および理論的指針を提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再結合 ,  Stokesシフト ,  飽和磁化 ,  *量子ドット ,  発光スペクトル ,  バンドギャップ ,  励起子 ,  スピントロニクス ,  光ルミネセンス ,  化学結合
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  室温強磁性 ,  励起子発光 ,  バンドギャップエネルギー ,  希薄磁性半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドーピング ,  誘起 ,  量子ドット ,  研究