文献

J-GLOBAL ID：201702231678879773   整理番号：17A0069725

シリコンベースのGANベースLED薄膜チップの応力変調【JST・京大機械翻訳】

Stress Modulation of GaN Based LED Thin Film Chip on Silicon Substrate

著者 (3件)： Tang Yingwen (College of Physics and Information Engineering,Minnan Normal University) ,  Xiong Chuanbing (College of Physics and Information Engineering,Minnan Normal University) ,  Wang Jiabin (National Engineering Technology Research Center for LED on Si Substrate,Nanchang University)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 8  ページ： 979-983  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SI基板上のGANベースのLED薄膜を,シリコン基板上に結合させ,そして,異なる温度での連続焼鈍を行った。高分解能X線回折(HRXRD)により,連続焼鈍中のGAN薄膜チップの応力変化を研究した。研究により、以下のこと垂直構造のLED薄膜チップは160~180°Cでの応力解放が顕著であり、200°Cでの応力解放は十分に、GANの格子定数は標準値に近い。昇温応力は明らかに変化せず,GAN薄膜の格子定数は標準格子定数の近くで変動した。走査電子顕微鏡によって与えられたBONDING層中のAG-IN合金の状態は,薄膜チップの応力の変化をよく説明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  連続焼なまし ,  格子定数 ,  合金 ,  *薄膜 ,  昇温
準シソーラス用語： 応力解放 ,  高分解能X線回折 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Si substrate ,  GaN ,  stress ,  XRD ,  Ag-In

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  GaN ,  LED ,  薄膜 ,  応力 ,  変調