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J-GLOBAL ID:201702231681574621   整理番号:17A0801457

グラフェンシリコンヘテロ接合太陽電池の性能に及ぼす界面状態密度の影響

Interface state density effect on the performance of graphene silicon heterojunction solar cell
著者 (9件):
資料名:
巻: 10244  ページ: 102441U.1-102441U.4  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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平面型グラフェンシリコンヘテロ接合太陽電池の性能を模擬する二次元理論モデルを提案した。グラフェンと活性シリコン(N型)表面間の単純な接触の代わりに,界面層をイオンの反応拡散由来薄層又は時間的大気効果に起因する酸化膜と考え,太陽電池効率と量子効率に対する界面再結合を考慮しながら界面厚みと状態密度の依存性を検討した。電流電圧方程式を定式化した。短絡電流密度と開放電圧は界面状態密度に強く依存し,密度が増すと再結合電流も増し,界面密度が最も決定的であった。
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分類 (1件):
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太陽電池 
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