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J-GLOBAL ID:201702231841536234   整理番号:17A0620947

可変波長をもつナノキャビティ埋め込みシリコンナノワイヤーアレイからのマルチバンドホット光ルミネセンス

Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength
著者 (9件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 1552-1558  発行年: 2017年03月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CMOS(相補的金属酸化物半導体)適合プロセスにより作製した台形ナノキャビティ埋め込みSiナノワイヤアレイからの大きく増強されたホットルミネセンスを実証した。前記ナノワイヤアレイからのルミネセンスは,極めて短い放射寿命(~130ps),正の温度依存性,励起レーザ出力へのベキ法則依存性,キャビティ共鳴による広い波長調整可能性を含む独特の特性ともつ。これは,フォノン支配Ω型Siナノワイヤのケースとは対照的である。励起レーザとのホットルミネセンスバンドの独立性は,台形キャビティ埋め込みSiナノワイヤにおけるホットキャリア放射再結合が固有のフォノン状態密度によっては制限されないことを示した。このホットルミネセンスバンドは,キャビティ共鳴モードにより簡便に調整することができる。
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 

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