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J-GLOBAL ID：201702232715282219   整理番号：17A0620957

W置換によるMoTe₂の構造および電子相の設計

Engineering the Structural and Electronic Phases of MoTe₂ through W Substitution

著者 (39件)： RHODES D. (Florida State Univ., Florida, USA) ,  CHENET D.A. (Columbia Univ., New York, USA) ,  JANICEK B.E. (Univ. Illinois Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  NYBY C. (Stanford Univ., California, USA) ,  LIN Y. (Columbia Univ., New York, USA) ,  JIN W. (Columbia Univ., New York, USA) ,  EDELBERG D. (Columbia Univ., New York, USA) ,  MANNEBACH E. (Stanford Univ., California, USA) ,  FINNEY N. (Columbia Univ., New York, USA) ,  ANTONY A. (Columbia Univ., New York, USA) ,  SCHIROS T. (Columbia Univ., New York, USA) ,  SCHIROS T. (SUNY Fashion Inst. Technol., New York, USA) ,  KLARR T. (United States Army Res. Lab., Maryland, USA) ,  MAZZONI A. (United States Army Res. Lab., Maryland, USA) ,  CHIN M. (United States Army Res. Lab., Maryland, USA) ,  CHIU Y.-c (Florida State Univ., Florida, USA) ,  CHIU Y.-c (Columbia Univ., New York, USA) ,  ZHENG W. (Florida State Univ., Florida, USA) ,  ZHENG W. (Columbia Univ., New York, USA) ,  ZHANG Q.R. (Florida State Univ., Florida, USA) ,  ZHANG Q.R. (Columbia Univ., New York, USA) ,  ERNST F. (Stanford Univ., California, USA) ,  ERNST F. (SLAC National Accelerator Lab., California, USA) ,  DADAP J.I. (Columbia Univ., New York, USA) ,  TONG X. (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  MA J. (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LOU R. (Renmin Univ. China, Beijing, CHN) ,  WANG S. (Renmin Univ. China, Beijing, CHN) ,  QIAN T. (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  DING H. (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  OSGOOD R.M.,Jr. (Columbia Univ., New York, USA) ,  PALEY D.W. (Columbia Univ., New York, USA) ,  LINDENBERG A.M. (Stanford Univ., California, USA) ,  LINDENBERG A.M. (SLAC National Accelerator Lab., California, USA) ,  HUANG P.Y. (Univ. Illinois Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  PASUPATHY A.N. (Columbia Univ., New York, USA) ,  DUBEY M. (United States Army Res. Lab., Maryland, USA) ,  HONE J. (Columbia Univ., New York, USA) ,  BALICAS L. (Florida State Univ., Florida, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 3  ページ： 1616-1622  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mo_1-xW_xTe₂合金のバルク結晶を合成して,電子顕微鏡,XRD.STM,Raman分光を併用してその構造と組成をキャラクタリゼーションした。Wドーピングは,共存相が存在しない均一合金を製造することを見出した。半導性2H層から菱面体晶の半金属γ層への構造相転移は鋭利であり,臨界モル分率x_c~0.08で起こる,x≦x_cの結晶は歪みや電場などの小さい摂動に敏感であるので,これは,γ-Mo_1-xW_xTe₂シリーズの構造と電子特性を可逆的に制御する機会を提供する。また,角度分解発光分光法を介して,γ-Mo_1-xW_xTe₂のFermi面の形状は,WTe₂に極めて類似しており,したがって半金属特性であることを同定した。

シソーラス用語： *タングステン化合物 ,  *テルル化物 ,  *モリブデン化合物 ,  半金属 ,  発光分光法 ,  Fermi面 ,  電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  構造相転移 ,  ドーピング ,  三方晶系 ,  *テルル化モリブデン
準シソーラス用語： Raman分光 ,  STM【顕微鏡】 ,  XRD ,  菱面体晶

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 置換 ,  電子 ,  設計