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J-GLOBAL ID：201702232815074406   整理番号：17A1910717

コンプライアンス電流が原因となったメモリスイッチングと閾値スイッチングとの間の転移を解明する

Understanding the Transition Between Memory and Threshold Switching Due to the Compliance Current

著者 (2件)： CHANG Seo Hyoung (Pukyong National Univ., Busan, KOR) ,  LEE Jae Sung (Korean Inst. for Advanced Study, Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 68  号： 12  ページ： 1420-1423  発行年： 2016年06月30日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *スイッチング ,  電流 ,  *MIM構造 ,  *コンデンサ ,  *電流電圧特性 ,  RAM【メモリ】 ,  酸化ニッケル ,  白金 ,  抵抗スイッチング ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *RRAM ,  コンプライアンス電流 ,  メモリスイッチング ,  閾値スイッチング

分類 (1件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (4件)： コンプライアンス ,  原因 ,  スイッチング ,  閾値