文献
J-GLOBAL ID:201702233638361592   整理番号:17A0408177

多機能高分子界面を通したシリコンの有機不動態化【Powered by NICT】

Organic passivation of silicon through multifunctional polymeric interfaces
著者 (10件):
資料名:
巻: 160  ページ: 470-475  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,不対電子またはシリコンの表面上の「ダングリング」結合を不動態化するために化学蒸着(CVD)グラフト化と重合プロセスを用いた無溶媒,低温(<25 170°C)手法を実証した。ここで記述した多機能(誘電特性と導電性)不動態化層は裸のシリコン(30μs)と比較して少数キャリア寿命(>2ms)は一桁向上の数桁を達成し,200時間以上空気中で安定していた。これらの値は有意に高い温度で堆積したSiN_x膜のそれに近づいた。高分子不動態化プロセスと材料は表面再結合速度を著しく低減:表面状態の密度を減少させることにより,シリコン界面におけるバンドベンディングを変化させることによって静電的に化学的に示した。不動態化品質も芳香族化合物前者における立体効果の減少を示唆すると比較して脂肪族単量体を用いたグラフト化に及ぼす改善され,けい素の高分子に基づく表面不動態化のための設計ルールを我々を助ける。最後に,不動態化のための電気的に導電性高分子を利用する能力は,従来のシリコンマイクロエレクトロニクスと有機エレクトロニクスの間の直接の接点を生成するマイクロエレクトロニクスと太陽光発電を超えて,これらのプロセスはハイブリッドまたは多機能デバイスの作製,バイオセンサ,発光ダイオードなどを可能にする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る