文献

J-GLOBAL ID：201702233730772713   整理番号：17A0741380

超音波噴霧を用いた有機金属化学気相成長法(MOCVD)によるGaドープZnO薄膜の作製

Preparation of Ga-Doped ZnO Thin Films by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition with Ultrasonic Nebulization

著者 (2件)： LEE Choon-Ho (Keimyung Univ., Daegu, KOR) ,  OH Seong-Hoon (Keimyung Univ., Daegu, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 11  ページ： 11552-11557  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超音波噴霧を用いたMOCVDによりガラス基板上にGaドープZnO薄膜を325°Cで蒸着した。Gaドーピング濃度が薄膜の電気的性質,光学的性質,構造特性に及ぼす影響を調べた。Ga濃度が3mol%へ上昇すると,膜の[001]優先配向が僅かに改善し,結晶粒の大きさと膜の密度が増加した。これにより電荷キャリア移動度が上昇した。Ga濃度が3mol%を超えると,濃度と共に結晶粒の大きさと移動度が低下した。電荷キャリア濃度は1mol%Gaまで急速に上昇し,10²⁰cm^-3台で飽和した。GaドープZnO薄膜の最低電気抵抗率は3mol%濃度で1.1×10^-3Ωcmであった。可視領域の平均光透過率は73~85%であった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *薄膜成長 ,  MOCVD ,  ガリウム ,  *ドーピング ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  半導体薄膜 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  電気抵抗率 ,  濃度依存性 ,  透過率 ,  吸収係数 ,  光透過率 ,  透明導電性酸化物
準シソーラス用語： 光吸収率

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 超音波噴霧 ,  有機金属化学気相成長法 ,  MOCVD ,  GA ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  作製