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J-GLOBAL ID：201702233947753404   整理番号：17A0026108

アクティブマトリクス有機発光ダイオードディスプレイのためのワンゲートダイオード接続デュアルゲートa-IGZO TFT駆動のピクセル回路

One Gate Diode-Connected Dual-Gate a-IGZO TFT Driven Pixel Circuit for Active Matrix Organic Light-Emitting Diode Displays

著者 (5件)： Wang Cuicui (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Hu Zhijin (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  He Xin (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Liao Congwei (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China) ,  Zhang Shengdong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 9  ページ： 3800-3803  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アクティブマトリクス誘起発光ダイオードディスプレイのための,デュアルゲート(DG)アモルファスインジウムーガリウムー亜鉛ー酸化物薄膜トランジスタ(TFT)駆動のピクセル回路を示す。DGのワンゲートはプライマリゲート(PG)として働き,他は補助ゲート(AG)となる。PG動作でのDG TFTの閾値電圧(V_TH)はAGバイアス電圧によって変えられる。VTH変動(ΔV_TH)はAGとドレインダイオード接続構造で補償される。ここに示したピクセル回路の有効性を実験的に検証した。測定した電流エラーレートは,TFTのV_TH=±0.5V,放出電流が7nAから1.13μAでのOLEDのΔV_TH=0.5Vで3.2%以下である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  電流測定 ,  電圧測定 ,  論理回路 ,  論理素子 ,  発光ダイオード ,  *フラットパネルディスプレイ ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  電子回路
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  LEDディスプレイ ,  *アクティブマトリクス型有機発光ダイオード ,  デュアルゲート ,  *ピクセル回路 ,  ロジックゲート

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： アクティブマトリクス ,  有機発光ダイオード ,  ディスプレイ ,  デュアルゲート ,  TFT ,  ピクセル回路