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J-GLOBAL ID：201702233948861009   整理番号：17A0830148

AlGaPのMBE成長とドーピング【Powered by NICT】

MBE growth and doping of AlGaP

著者 (12件)： Tremblay R. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Burin J.-P. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Rohel T. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Gauthier J.-P. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Almosni S. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Quinci T. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Letoublon A. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Leger Y. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Le Corre A. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Bertru N. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Durand O. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France) ,  Cornet C. (UMR FOTON, CNRS, INSA-Rennes, F-35708 Rennes, France)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 466  ページ： 6-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,固体源分子ビームエピタクシーによりGaP基板上に成長させたAlGaPエピ層の表面形態,ドーピングレベルとドーパント活性化に及ぼす成長パラメータの影響を調べた。原子間力顕微鏡分析は,滑らかな表面が十分に大きなV/III比のための[580 680]°C成長温度範囲でのみ得ることができることを明らかにした。C(V),Hall測定とSIMS分析から,成長温度が580°C以上のままであるならば,合理的な活性化p-ドーピング(Be)値(典型的には10~18cm~ 3)が達成できることを示した。n-ドーピング(Si)では,状況は,より重要である,650°C以下の成長温度は,絶縁層が得られた。成長温度が十分高くない場合このドーパント活性化問題である発生する深いトラップの出現に関連した深準位過渡分光法と等温深準位過渡分光法によって証明された。AlGaPエピ層を用いた電気駆動装置を慎重に成長温度と成長速度の両方に粗さとドーパント活性化束縛条件に整合するように設計しなければならないことが示唆された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 束縛条件 ,  原子間力顕微鏡 ,  *MBE成長 ,  深準位過渡分光法 ,  ドーパント ,  *リン化ガリウム ,  成長速度
準シソーラス用語： 絶縁層 ,  成長温度 ,  温度範囲 ,  生長パラメータ ,  表面形態 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1ドーピング ,  A3分子ビームエピタクシー ,  B1りん化物 ,  B2半導性III-V材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (2件)： MBE成長 ,  ドーピング