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J-GLOBAL ID:201702233996559738   整理番号:17A0263869

3D SRAMにおけるTSV開路試験アルゴリズムの研究と実現【JST・京大機械翻訳】

Research and implementation of TSV open test algorithm in 3D SRAM
著者 (6件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 7-13  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0569A  ISSN: 1001-2486  CODEN: GKDXEM  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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三次元集積回路技術に基づいて実現した三次元静的ランダムメモリは,その回路には多くの過が使用されている。現在、過の製造技術はまだ成熟していないため、過は開路或いは短絡故障を起こしやすいため、三次元静的ランダムメモリのテストに新たな挑戦をもたらした。既存の過試験方式では,シリコンの故障を検出することができるが,特定のテスト回路を必要とすることにより,オーバヘッドを増加させ,回路設計の複雑さを増大させることができる.そのため、試験アルゴリズムを用いて、シリコンの開路故障を検出する方法を提案した。追加領域のオーバヘッドを増加させない場合には,三次元静的ランダムメモリにおける過電圧を検出するために,BIST試験回路を使用することによって,開路故障検出の問題を解決した。結果は,このアルゴリズムが正しく機能し,過の開路故障を正確に検出することができ,シリコンの開路位置を迅速に位置付けることができることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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電力変換器  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 

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