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J-GLOBAL ID：201702234105179627   整理番号：17A0278086

+3.5dBm IP_1dBと+12.3dBm IIP_3を用いたアクティブCMOS差動フィルタ【Powered by NICT】

Active CMOS differential filter with +3.5 dBm IP_1dB and +12.3 dBm IIP₃

著者 (4件)： Arbelaez-Nieto A. (Institute Nacional de Astronomia, Optica y Electronica (INAOE), Mexico 72840) ,  Corona-Chavez A. (Institute Nacional de Astronomia, Optica y Electronica (INAOE), Mexico 72840) ,  Olvera-Cervantes J. L. (Institute Nacional de Astronomia, Optica y Electronica (INAOE), Mexico 72840) ,  Saavedra C. E. (Queen’s University, Kingston, Ontario, Canada K7L 3N6)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： LAMC  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高線形性を持つSバンド集中素子活性CMOS差動帯域通過フィルタを提案した。結合共振器トポロジーは,能動素子のdcバイアス配置を容易にするフィルタを通して同一並列LCタンク共振器の使用を可能にするために選択した。基板損失とタンク寄生の損失補償は交差結合トランジスタ対を用いて行った。プロトタイプフィルタを標準130nm CMOSプロセスを用いて作製し,2.08GHzでの実験試験は,1.86dBの挿入損失,反射損 17.69dB,20dBのコモンモード除去比(CMRR)を示した。フィルタの入力1 dB圧縮点(IP_1dB)と三次入力インターセプトポイント(IIP_3)は+3.5dBmと+12.3dBm,それぞれの著者らの知る限りではSバンドCMOS能動フィルタのための新しい線形性性能記録であった。コアチップ面積は0.38mm~2を測定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  線形性 ,  能動フィルタ ,  共振器 ,  帯域フィルタ ,  挿入損 ,  *フィルタ ,  *CMOS
準シソーラス用語： チップ面積 ,  IIP3 ,  コモンモード ,  交差結合 ,  損失補償 ,  能動素子 ,  Sバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS ,  差動