文献

J-GLOBAL ID：201702234184544557   整理番号：17A0324791

光起電モジュールの電位誘起分解:批判的レビュー【Powered by NICT】

Potential-induced degradation in photovoltaic modules: a critical review

著者 (11件)： Luo Wei (Solar Energy Research Institute of Singapore (SERIS), National University of Singapore, Singapore 117574. [e-mail]) ,  Khoo Yong Sheng ,  Hacke Peter ,  Naumann Volker ,  Lausch Dominik ,  Harvey Steven P. ,  Singh Jai Prakash ,  Chai Jing ,  Wang Yan ,  Aberle Armin G. ,  Ramakrishna Seeram
資料名： Energy & Environmental Science  (Energy & Environmental Science)
巻： 10  号： 1  ページ： 43-68  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2306A  ISSN： 1754-5692  CODEN： EESNBY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電位誘起劣化(PID)は,現場条件下での光起電力(PV)モジュール性能に及ぼすその有害な影響のために,近年かなり注目されている。結晶シリコン(c Si)と薄膜PVモジュールの両方がPIDに感受性である。広範な研究は,この地域で実施されているが,PID現象の理解はまだ不完全で,PV産業の主要な問題となっている。ここで,利用可能な文献の批判的レビューは,PID研究の現状を理解するためのワンストップ源として機能した。PID関連課題を解決するために将来の研究経路の概観を提供することを目的としている。本論文は三部から構成されている。最初の部分では,モジュールパッケージの漏れ電流経路のモデル化を検討した。c-Siと薄膜PVモジュールの両方でPID機構も包括的にレビューした。第二部では,PIDのためのPVモジュールを評価するための各種試験方法要約した。最後に遍在するp型c-Si PVモジュールにおけるPIDに関連した研究に焦点を当てた。PIDの進行に対する温度,湿度,電圧の依存性を調べた。細胞,モジュールおよびシステムレベルでPID対策を説明した。さらに,標準p型c-Si PVモジュールにおけるPID回収も調べた。p型c-Si PVモジュールからの知見の大部分は,他のPVモジュール技術に適用可能である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  電圧 ,  光起電力 ,  モデリング ,  薄膜 ,  感受性 ,  湿度 ,  *電位
準シソーラス用語： 試験方法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  太陽光発電  (NB03090G) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (5件)： モジュール ,  電位 ,  誘起 ,  分解 ,  レビュー