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J-GLOBAL ID：201702234501698263   整理番号：17A0167711

金属背面支持エッチング技術に基づくフレキシブル三角形太陽電池の開発【JST・京大機械翻訳】

Study on Fabrication of AlGalnP/AlGaAs/GaAs Inverted Triple Junction Solar Cells Using Metal-Backed Etching Technique

著者 (6件)： Lu Jianya (School of Materials Science and Engin.,Shanghai University, Key Lab. of Nanodevices and Applications CAS) ,  Tan Ming (Key Lab. of Nanodevices and Applications,Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Wenxian (Key Lab. of Nanodevices and Applications,Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Shulong (Key Lab. of Nanodevices and Applications,Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Wei (Research Center for Photovoltaics, Shanghai Institute of Space Power-Source) ,  Huang Jian (School of Materials Science and Engin.,Shanghai University)
資料名： Bandaoti Guangdian  (Bandaoti Guangdian)
巻： 37  号： 5  ページ： 688-693  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2379A  ISSN： 1001-5868  CODEN： BAGUE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： フレキシブルGAASベース太陽電池の作製方法を研究し、フレキシブル反転成長を実現するための三層太陽電池の剥離と転移方法を紹介した。GAAS/GALNPの選択的腐食に基づき,GAASの腐食挙動を研究し,そして,異なるタイプと体積比率の溶液によるGAAS/GAINP/ALINPの腐食特性を研究した。最終的に,異なる比率のH_2SO_4-H_2O_2系を用いて,迅速,制御可能な,良好な再現性を有する二段階エッチング法を得た。原子間力顕微鏡(AFM)の結果は,この方法により,エピタキシャル層をCU基板上に移動させることができ,また,剥離と転移中にエピ層膜が損傷されないことを示した。フレキシブル太陽電池の開路電圧は3.4V以上であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  体積率 ,  *太陽電池 ,  再現性 ,  腐食 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  フレキシブル太陽電池 ,  エピタキシャル層 ,  腐食挙動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaInP/AlGaAs/GaAs ,  solar cell ,  flexible film ,  wet etching ,  power-to-weight ratio

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 背面 ,  支持 ,  エッチング ,  三角形 ,  太陽電池 ,  開発