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J-GLOBAL ID：201702234514493325   整理番号：17A0473244

Cu_2ZnSnS_4粉末試料における近吸収端正孔の伝導率とエネルギースペクトルの機構【Powered by NICT】

Mechanisms of conductivity and energy spectrum of near-edge holes in Cu₂ZnSnS₄ powder samples

著者 (9件)： Hajdeu-Chicarosh E. (Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Academiei Str. 5, MD-2028 Chisinau, Republic of Moldova) ,  Guc M. (Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Academiei Str. 5, MD-2028 Chisinau, Republic of Moldova) ,  Neldner K. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Gurieva G. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Schorr S. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Schorr S. (Freie Universitat Berlin, Malteserstr. 74-100, 12249 Berlin, Germany) ,  Arushanov E. (Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Academiei Str. 5, MD-2028 Chisinau, Republic of Moldova) ,  Lisunov K.G. (Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Academiei Str. 5, MD-2028 Chisinau, Republic of Moldova) ,  Lisunov K.G. (Department of Mathematics and Physics, Lappeenranta University of Technology, PO Box 20, FIN-53851 Lappeenranta, Finland)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 703  ページ： 315-320  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純元素からの固相反応法により得られた,Cu_2ZnSnS_4粉末試料の抵抗率,ρ(T)は,活性化された特性を示した。Tが増加すると,Mott可変領域ホッピング電荷移動はT~100 230Kの間で観察され,続いて正孔の活性化に起因する導電性による移動度しきい値より上の状態にした。アクセプタバンドの半幅W,平均アクセプタエネルギーを越えて,このような挙動は,価電子バンドとアクセプタバンド状態の重なりを示し,補償の強い程度の条件における関節端正孔スペクトルを形成した。このスペクトルの詳細を決定し,Fermi準位,μ及び移動度しきい値の位置だけでなく,Fermi準位,g(μ)での局在状態の密度を含んでいる。アクセプタ濃度及び正孔局在化半径が得られもした。これらのパラメータは,材料金属-絶縁体転移から比較的遠いにあることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  *エネルギー分布 ,  アクセプタ ,  *吸収端 ,  *スペクトル ,  固相反応 ,  導電性 ,  *正孔 ,  Fermi準位 ,  電気抵抗率 ,  金属-絶縁体転移 ,  移動度 ,  電荷移動
準シソーラス用語： 局在化 ,  可変領域ホッピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Cu_2ZnSnS_4 ,  ケステライト ,  粉末試料 ,  ホッピング伝導率 ,  電子的性質 ,  エネルギースペクトル

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  塩  (CD01050V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 吸収端 ,  正孔 ,  伝導率 ,  エネルギースペクトル