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J-GLOBAL ID：201702234520594160   整理番号：17A0700828

金属-絶縁体-半導体構造に基づくCdS@SiO_2コア-シェルエレクトロルミネセンスナノロッドアレイ【Powered by NICT】

CdS@SiO₂ Core-Shell Electroluminescent Nanorod Arrays Based on a Metal-Insulator-Semiconductor Structure

著者 (12件)： Wang Chunfeng (Engineering Research Center for Advanced Polymer Processing Technology, School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, 100 Science Avenue, Zhengzhou, 450001, P. R. China) ,  Wang Chunfeng (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Science, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100083, P. R. China) ,  Peng Dengfeng (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Science, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhao Jing (Engineering Research Center for Advanced Polymer Processing Technology, School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, 100 Science Avenue, Zhengzhou, 450001, P. R. China) ,  Zhao Jing (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Science, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100083, P. R. China) ,  Bao Rongrong (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Science, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100083, P. R. China) ,  Li Tianfeng (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Science, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100083, P. R. China) ,  Tian Li (Engineering Research Center for Advanced Polymer Processing Technology, School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, 100 Science Avenue, Zhengzhou, 450001, P. R. China) ,  Dong Lin (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Science, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100083, P. R. China. [e-mail]) ,  Dong Lin (School of Physical Engineering, Zhengzhou University, 100 Science Avenue, Zhengzhou, 450001, P. R. China. [e-mail]) ,  Shen Changyu (Engineering Research Center for Advanced Polymer Processing Technology, School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University, 100 Science Avenue, Zhengzhou, 450001, P. R. China. [e-mail]) ,  Pan Caofeng (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Science, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100083, P. R. China. [e-mail])
資料名： Small  (Small)
巻： 12  号： 41  ページ： 5734-5740  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一次元(1D)半導体発光デバイス(LED)の分野で達成された巨大な進歩が,1D CdSナノ構造に基づくLEDはほとんど報告されていない。Au SiO_2~-CdS金属-絶縁体-半導体(MIS)構造に基づくCdS@SiO_2コア-シェルナノロッドアレイLEDを作製した。MIS LEDは2.7Vの低いしきい値電圧をもつ強い黄色発光を示した。広い発光を持つエレクトロルミネセンスは450nmから800nmまでの範囲の700nmでのショルダーピークが観察され,これはCdSナノロッドの欠陥と表面状態に関係している。エレクトロルミネセンス強度に及ぼすSiO_2シェルの厚さの影響を系統的に調べた。素子は1.5μmの高発光空間分解能を持ち,少なくとも三か月間室温でシェルビング後でさえ優れた放出特性を維持している。製作過程は簡単で,費用効果が高く,MISデバイスは,フレキシブル基板,応用に大きな可能性を持つ柔軟な光源として上に作製できた。このプロトタイプは優れた特性を持つ大規模発光素子の開発への新しい経路を開くことが期待される,高分解能,低費用,および良好な安定性のような。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エレクトロルミネセンス ,  *半導体 ,  *絶縁体 ,  *MIS構造 ,  *ナノロッド ,  *硫化カドミウム ,  高分解能 ,  フレキシブル基板 ,  発光 ,  一次元 ,  生産工程 ,  *金 ,  光源
準シソーラス用語： *ナノロッドアレイ ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コア-シェル構造 ,  発光素子 ,  金属絶縁体半導体 ,  ナノロッドアレイ ,  シリカ

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造 ,  コア