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J-GLOBAL ID：201702234565874685   整理番号：17A0216294

Schottky接合垂直配向ZnOナノロッドに基く水素センサにおよぼすガンマ線照射の影響

Effect of gamma irradiation on Schottky-contacted vertically aligned ZnO nanorod-based hydrogen sensor

著者 (5件)： RANWA Sapana (Indian Inst. of Technol. Jodhpur, Jodhpur, IND) ,  BARALA Surendra Singh (Indian Inst. of Technol. Jodhpur, Jodhpur, IND) ,  BARALA Surendra Singh (Defence Lab., Jodhpur, IND) ,  FANETTI Mattia (Univ. Nova Gorica, Ajdovscina, SVN) ,  KUMAR Mahesh (Indian Inst. of Technol. Jodhpur, Jodhpur, IND)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 34  ページ： 345502,1-8  発行年： 2016年08月26日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型ケイ素基板上にRFマグネトロンスパッタにより酸化亜鉛のナノロッドを成長させた。金の環状Shottky接合を蒸着により形成した。Au/ZnO NR/n-Si/Auナノセンサを作製し,室温でガンマ線照射した。電界放出型走査電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,X線回折,光ルミネセンススペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。高いドース量で格子欠陥の生成を推定した。1kGy照射では1%水素に対するセンサ応答は67%から77%に増大したが,10kGy照射では33.5%に低下した。

シソーラス用語： *半導体金属接合 ,  *酸化亜鉛 ,  金電極 ,  配向 ,  *ナノロッド ,  *ガスセンサ ,  *γ線照射 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  光ルミネセンス ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *Schottky接合 ,  ナノロッドアレイ ,  垂直配向 ,  *水素センサ ,  電界放出型走査電子顕微鏡

分類 (3件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Schottky接合 ,  垂直配向 ,  ZnOナノロッド ,  水素センサ ,  ガンマ線照射