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J-GLOBAL ID:201702234578004742   整理番号:17A0400990

熱サイクル後のGdSiGe薄膜上の磁気構造転移の抑制【Powered by NICT】

Suppression of magnetostructural transition on GdSiGe thin film after thermal cyclings
著者 (13件):
資料名:
巻: 621  ページ: 247-252  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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1000サイクルまでGd_5Si_1 3Ge_2 7薄膜の微細構造,磁気相転移と磁気エントロピー変化に及ぼす熱サイクルの影響を調べた。1000サイクル後磁気構造転移(斜方晶II相)の原因である結晶相の強い減少が起こることを見出した。これは斜方晶II相は磁気構造転移を横切る受けることを化学的無秩序に起因し,膨張/圧縮サイクルの大きな数が原因である。磁気構造転移の抑制は,薄膜磁気エントロピー変化の劇的な減少に対応した。これらの結果は,実際の装置を害することから磁気構造転移に及ぼす影響熱/磁気サイクルを研究することの重要性を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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