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J-GLOBAL ID：201702234606886236   整理番号：17A0311333

MWCNTの修飾解凍法により作製した単一グラフェンリボンに基づく電界効果トランジスタの開発【Powered by NICT】

Development of field effect transistor based on single graphene ribbon prepared by a modified unzipping process of MWCNT

著者 (7件)： Mahmoud Waleed E. (King Abdulaziz University, Faculty of Science, Physics Department, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Mahmoud Waleed E. (Suez Canal University, Faculty of Science, Physics Department, Ismailia, Egypt) ,  Al-Hazmi Farag S. (King Abdulaziz University, Faculty of Science, Physics Department, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Al-Ghamdi A.A. (King Abdulaziz University, Faculty of Science, Physics Department, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Shokr F.S. (King Abdulaziz University, Faculty of Science&art, Physics Department, Rabigh, Saudi Arabia) ,  Beall Gary W. (King Abdulaziz University, Faculty of Science, Physics Department, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Beall Gary W. (Texas State University-San Marcos, Department of Chemistry and Biochemistry, 601 University Dr., San Marcos, TX 78666, USA)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 217  ページ： 152-155  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,カーボンナノチューブを開くことによってグラフェンリボンの合成を報告し,電界効果トランジスタとしての性能を調べた。生成したグラフェンリボンを透過型電子顕微鏡(TEM),Raman分光法,X線光電子分光法(XPS)及び原子間力顕微鏡(A FM)によって特性化した。平均幅600±20nmの単層グラフェンリボンが得られた。リボンはリソグラフィーシステムによってパターン化した金電極を用いた300nmシリコン酸化物層で被覆したシリコン基板上にドロップキャストした。開発した単一グラフェンFETは2.8mmの非常に高い飽和電流密度,電子移動度4000cm~/V.s及び3200cm~2Vの正孔移動度を示した。これらの値は,CVDと化学的剥離法で作製した電界効果トランジスタ(FET)ベースグラフェンから得られた値よりも高かった。飽和電流値と単一グラフェンリボンに基づくFETのための高移動度を得るための増強は,将来の応用のためのFETの新世代を開発するための新しい道を開くであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  X線光電子分光法 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  パターン形成 ,  カーボンナノチューブ ,  原子間力顕微鏡 ,  金電極 ,  透過型電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  Raman分光法
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  電子移動度 ,  飽和電流 ,  単層グラフェン ,  *グラフェンリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェンリボン ,  XPS ,  A FM ,  Raman分光法 ,  FET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： MWCNT ,  修飾 ,  解凍 ,  作製 ,  グラフェンリボン ,  電界効果トランジスタ ,  開発